입력 : 2023-05-18 12:56:27
- 생산성 20%↑·소비전력 23%↓
삼성전자가 이전 세대 제품 대비 생산성이 향상되고 소비 전력이 감소된 12나노급 D램 양산, 미세공정경쟁에서 우위를 확보하고 있다.
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< 삼성전자가 양산을 시작한 12나노급 D램 /=삼성전자 제공. >
삼성전자가 업계 최선단(최소 선폭) 12㎚(나노미터·10억분의 1ｍ)급 공정으로 16기가비트(Gb) DDR5 D램 양산을 시작했다고 18일 밝혔다. 생산성이 향상되고, 소비 전력이 개선된 이 제품은 향후 데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등에 공급될 예정이다.
삼성전자 12나노급 D램은 최선단 기술을 적용, 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 소비 전력은 약 23% 개선됐다.
삼성전자는 배출과 에너지 사용을 줄이는 데 적극적으로 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에 최상의 솔루션이 될 것으로 기대하고 있다.
삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재를 적용해 전하를 저장하는 커패시터의 용량을 늘렸다고 설명했다. D램은 커패시터에 저장된 전하로 1과 0을 구분하기 때문에 커패시터 용량이 커지면 데이터 구분이 명확해지고 데이터가 확실하게 구분돼 오류가 발생하지 않는다.
이와 함께 동작 전류 감소 기술과 데이터를 더 확실하게 구분할 수 있는 노이즈 저감 기술 등도 적용했다.
DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps(초당 기가비트)를 지원한다. 이는 1초에 30기가바이트(GB) 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다.
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