입력 : 2023-08-22 15:27:11
- 영화 230편 1초에 처리·열 방출 성능 10% 향상
SK하이닉스가 AI용 초고성능 D램 신제품 ‘HBM3E’로 고성능 D램 시장 주도권 굳히기에 나선다. SK하이닉스는 HBM3E 개발에 성공하고 성능 검증 절차를 진행하기 위해 고객사인 엔비디아에 샘플을 공급하기 시작했다고 밝혔다.
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< SK하이닉스'HBM3E' /=SK하이닉스 제공. >
HBM은 여러 개의 D램을 수직 으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치·고성능 제품으로, 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다. HBM3E는 HBM3의 확장 버전이다.
SK하이닉스가 개발한 HBM3E는 초당 최대 1.15테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 풀HD급 영화 230편 이상 분량의 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.
이와 함께 어드밴스드 MR-MUF 최신 기술을 적용해 제품의 열 방출 성능을 기존 대비 10% 향상시켰다. MR-MUF 공정은 반도체 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정을 말한다.
또 HBM3E는 하위 호환성(Backward compatibility)도 갖췄다. 이에 고객은 HBM3를 염두에 두고 구성한 시스템에서도 설계나 구조 변경 없이 신제품 적용도 가능할 것으로 전망된다.
하위 호환성이란 과거 버전 제품과 호환되도록 구성된 IT·컴퓨팅 시스템 내에서 신제품이 별도로 수정이나 변경 없이 그대로 쓰일 수 있는 것을 뜻한다.
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