삼성전자, 현존 최대용량 DDR5 D램 개발...40년 만에 D램 용량 50만 배 늘려

박지우 기자

입력 : 2023-09-01 19:58:47

- 소비전력 10% 개선 TSV 공정 없이 128GB 모듈 제작 가능

삼성전자가 12나노급 32기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발, 연내 양산을 시작한다. 32Gb는 D램 단일 칩 기준 역대 최대 용량이다. 삼성전자는 1983년 64킬로비트(Kb) D램을 개발한 지 40년 만에 D램 용량을 50만배 늘렸다.

특히 이번 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량을 구현, 128기가바이트(GB) 모듈을 실리콘 관통 전극(TSV) 공정 없이 제작 가능하게 됐다.

< 삼성전자, 현존 최대 용량 32Gb DDR5 D램 개발 /=삼성전자 제공. >

TSV 공정은 칩을 얇게 간 뒤 수백개의 미세한 구멍을 뚫고 상단 칩과 하단 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극을 연결한 첨단 패키징 기술로, 기존 32Gb 이하 용량으로 128GB 모듈을 제작할 때는 TSV 공정 사용이 필수였다.

이는 고대역폭 메모리(HBM)의 가파른 수요·공급에도 큰 도움을 줄 것으로 보인다.

HBM을 생산하는 핵심 공정이 TSV인데, 한정된 TSV 캐파(생산능력)를 고용량 D램 모듈과 나눠 사용해야 하는 만큼 TSV 기술을 사용하지 않는 고용량 D램 모듈 제작이 가능해지면 그만큼 HBM 캐파가 늘어날 수 있기 때문이다.

이번 제품은 동일 128GB 모듈 기준으로 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선이 가능해 데이터센터 등 전력 효율을 중요시하는 IT 기업에 최적의 솔루션이 될 것으로 기대된다.

삼성전자는 고용량 D램 라인업을 지속 확대하며 D램 미세공정 경쟁에서 기술 리더십을 공고히 할 계획이다. 인공지능(AI) 시대를 주도할 고용량·고성능·저전력 제품으로 글로벌 IT 기업과 협력, 차세대 D램 시장을 견인한다.

삼성전자는 12나노급 32Gb DDR5 D램을 올해 안에 양산할 계획이다.